Sensora zexta nîvrojê ya gelemperî ya ku bi selika silicon-a N-type bikar tîne. Yekem, Wafer Silicon bi zincîrek bi zencîreyek zexîreyê ya elastîk tê çêkirin. Li beşa stresê ya Wafer-ê Silicon, çar berxwedanên belavkirina P-ê li ser rêgezên cûda cûda têne çêkirin, û piştre pira çar-dest bi van çar berxwedêran pêk tê. Di bin çalakiya hêzê derveyî de, guhartinên nirxên berxwedanê dibin nîşanên elektrîkê. Ev pire Pira Wheatstone bi bandora zextê re dilê zextê ye, ku bi gelemperî bi navê Pira Piezoresistive (wekî ku di Figure 1 de tê nîşandan) e. Taybetmendiyên pira piyalîzoresistive wiha ne: ① Nirxên berxwedanê yên çar çekên pira wekhev in (hemî R0); ② Bandora piezoresistive ya çekên nêzê pira di nirx û berevajî de wekhev e; ③ Germahiya berxwedana berxwedanê ya çar çekên pira yek e, û her gav di heman germahiyê de ne. Li Fig. 1, R0 nirxa berxwedanê ye bêyî stresê li germahiya odeyê; RT guherîna ku ji ber hevahengiya germahiya berxwedanê (α) dema ku germ diguhere; Υ rδ guhartina berxwedanê ya ku ji hêla stûnê ve hatî çêkirin (ε); Voltage voltaja hilberê U = I0 δ Rδ = i0rgδ (pira çavkaniya heyî ya heyî) ye.

Where I0 çavkaniya heyî ya heyî ye û e e e-e voltaja çavkaniya voltaja domdar e. Voltage voltaja hilberê ya piezoresistive rasterast bi stûyê (εs) re têkildar e û tiştek tune ku ji hêla hevgirêdana germahiyê ve were çêkirin, ku pir kêm kêmbûna sensorê kêm dike. Sensora zexta nîvrojê ya ku bi gelemperî tête bikar anîn ji bo tespîtkirina zexta tîrêjê senaryoyek e. Struktura wê ya sereke kapsulek e ku ji silicon monocrystalline hatî çêkirin (wekî ku di Figure 2 de tê nîşandan). Diaphragm tê nav kasa, û binê kasa ku hêza derveyî ye, û pira zextê li binê kasa tê çêkirin. Devera ringê ji heman materyalê kristal yekane ya silicon pêk tê, û piştre diafragma li ser piya tê girêdan. Ev sensorek zextê xwedan taybetmendiyên hestiyariyê, hebên piçûk û zexm e, û bi berfirehî di avjeniyê de, navgîniya cîhanî, amûrên otomatîkî û amûrên bijîşkî tê bikar anîn.