Sensor sensor Rail Pressure Railes Rail 36E906051K

1. Rêbazek ji bo avakirina hestek zextê, ​​pêk tê:

Substratek semiconductor peyda dike, ku yekemîn qonaxek yekem a interlayer dielectricî, stûnek yekalî ya navberê û pêvekek duyemîn ya navberê li ser substratorê semiconductor pêk tê.

Pîvaza elektrîkê ya jêrîn di navbêna yekemîn a interlayer de, elektrodek yekem a hevbeş ku li ser heman perçê ku li ser pîvana elektrodê ya jêrîn heye û ji hev veqetandî ye.

Girêdanên girêdanê;

Avakirina pişkek qurbanan li jorê plakaya pola jêrîn;

Avakirina plakek mezin a elektrodê ya li ser yekem interlayer dielectric dielectric

Piştî avakirina perdeya qurbanan û berî avakirina plakaya jorîn, di rêza yekem a InterConnection de

Avakirina girêdana girêdanê, û bi plakaya jorîn re girêdana girêdanê dagirtin da ku bi pêveka yekem têkiliyê ve têkildar be; An,

Piştî avakirina plakaya elektrodê ya jorîn, girtina grooves di plakaya jorîn a elektrodê de û dirûvê yekem Interconnection, ku

Damezrandina perdeyek rêvekirinê ya ku plakaya elektrodê ya jorîn û dirûvê yekem têkiliyê di girêdana girêdanê de ye;

Piştî girêdana elektrîkî ya ku plakaya jorîn û pêlika navbeynkariyê ve girêdide, rakirina şêwaza qurbanan ji bo avakirina kavilek.

2. Rêbaza ji bo avakirina senaryoyek zextê li gorî îdîaya 1, li ku derê di layera yekem de

Methodê ji bo damezrandina pêlika qurbanan a li ser stûna dielectric in Interlayer gavên jêrîn pêk tê:

Li ser pêlika yekemîn a interlayer dielectric-ê de doktorek materyalê ya qurbanî de ye;

Şêwaza materyalê ya qurbanî ya ku ji bo pêkanîna pişkek qurbanî pêk tê.

3

Layer Material Materialê ji hêla pêvajoya etching ve tête model kirin.

4. Rêbaza avakirina senaryoyek zextê li gorî îdîaya 3, li ku derê xalîçeya qurbanan

Materyal karbon an germanium amorphous e.

5 Rêbaza ji bo avakirina senaryoyek zextê li gorî îdîaya 4, li ku derê xalîçeya qurbanan

Materyal karbonê amorphous e;

Gazên etching di pêvajoyê de di pêvajoya etching de tê bikar anîn

Parametreyên di pêvajoya etchingê de layera materyalê ya qurbanî ev in: Rêjeya Flow of O2 e 18 SCCM 22 SCCM, û Rêjeya Rêjeya CO% 10 e.

Rêjeya Flow ji 90 SCCM ji 110 SCCM, rêjeya tîrêjê ya N2 ji 90 SCCM heya 110 SCCM, û Rêjeya Flavê Ar.

Rêzeya 90 SCCM ~ 110 SCCM e, Rêjeya zextê 90 mtor ~ 110 mtor e, û hêza bias e

540W ~ 660w.